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JS-600M小型磁控濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，帶磁控靶頭，有水冷功能。設備操作簡單方便，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。磁控濺射為冷濺射，對樣品表面的升溫較低，適用對溫度較敏感的薄膜樣品。用戶可以根據(jù)自己的需要自行選擇不同的真空條件，濺射電流。大尺寸的真空腔體設計，滿足大樣品的濺射需求。

JS-600M薄膜制備小型磁控濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，帶磁控靶頭，有水冷功能。設備操作簡單方便，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。磁控濺射為冷濺射，對樣品表面的升溫較低，適用對溫度較敏感的薄膜樣品。用戶可以根據(jù)自己的需要自行選擇不同的真空條件，濺射電流。大尺寸的真空腔體設計，滿足大樣品的濺射需求。

JS-600M低溫濺射小型磁控濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，帶磁控靶頭，有水冷功能。設備操作簡單方便，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。磁控濺射為冷濺射，對樣品表面的升溫較低，適用對溫度較敏感的薄膜樣品。用戶可以根據(jù)自己的需要自行選擇不同的真空條件，濺射電流。大尺寸的真空腔體設計，滿足大樣品的濺射需求。

1600V二極磁控濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，帶磁控靶頭，有水冷功能。設備操作簡單方便，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。磁控濺射為冷濺射，對樣品表面的升溫較低，適用對溫度較敏感的薄膜樣品。用戶可以根據(jù)自己的需要自行選擇不同的真空條件，濺射電流。大尺寸的真空腔體設計，滿足大樣品的濺射需求。最高電壓1600V，保證在較高的真空環(huán)境下，維持自持放電。